Az TL5580IDR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TL5580IDR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTL5580IDRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TL5580IDR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TL5580IDR
- Cikkszám:
- TL5580IDR
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- IC OPAMP GP 12MHZ 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 38169 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TL5580IDR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás, Single / Dual (±): | 4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V |
| Feszültség - bemeneti eltolás: | 300µV |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Elfordulási arány: | 5 V/µs |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Kimeneti típus: | - |
| Más nevek: | 296-21100-2 TL5580IDRE4 TL5580IDRE4-ND TL5580IDRG4 TL5580IDRG4-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C |
| Az áramkörök száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nyereség sávszélesség termék: | 12MHz |
| Részletes leírás: | General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC |
| Jelenlegi - ellátás: | 6mA |
| Áram - kimenet / csatorna: | 50mA |
| Aktuális - Bemeneti torzítás: | 100nA |
| Alap rész száma: | TL5580 |
| Erősítő típusa: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TL5580IDR-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos