TL5580IDR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TL5580IDR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TL5580IDR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TL5580IDR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TL5580IDR
- رقم القطعة:
- TL5580IDR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC OPAMP GP 12MHZ 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38169 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TL5580IDR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 4 V ~ 32 V, ±2 V ~ 16 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 300µV |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| معدل الانحراف: | 5 V/µs |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | - |
| اسماء اخرى: | 296-21100-2 TL5580IDRE4 TL5580IDRE4-ND TL5580IDRG4 TL5580IDRG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مكاسب عرض النطاق الترددي المنتج: | 12MHz |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC |
| الحالي - توريد: | 6mA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 50mA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 100nA |
| رقم جزء القاعدة: | TL5580 |
| نوع مكبر للصوت: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTL5580IDR
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي