Az TGHPV470RKE most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TGHPV470RKE állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTGHPV470RKEe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TGHPV470RKE LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TGHPV470RKE
- Cikkszám:
- TGHPV470RKE
- Gyártó:
- Ohmite
- Leírás:
- SOT-227 600W 470 OHM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 39426 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TGHPV470RKE.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±10% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±250ppm/°C |
| Méret / dimenzió: | 1.496" L x 0.984" W (38.00mm x 25.00mm) |
| Sorozat: | TGH600 |
| Ellenállás: | 470 Ohms |
| Teljesítmény (Watt): | 600W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | SOT-227-2 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 155°C |
| Felszerelési funkció: | Flanges |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Lead Stílus: | M4 Threaded |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.480" (12.20mm) |
| Jellemzők: | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 470 Ohms ±10% 600W Thick Film Chassis Mount Resistor |
| Összetétel: | Thick Film |
| Bevonat, ház típus: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TGHPV470RKE-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
TGHPV250RKE | Ohmite | SOT-227 600W 250 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV7R50KE | Ohmite | SOT-227 600W 7.5 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV150RKE | Ohmite | SOT-227 600W 150 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV1K00KE | Ohmite | SOT-227 600W 1000 OHM | Vizsgálat |
|
TGHMV5R00JE | Ohmite | 5 OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHPVR500KE | Ohmite | SOT-227 600W 0.5 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV15R0KE | Ohmite | SOT-227 600W 15 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV100RKE | Ohmite | SOT-227 600W 100 OHM | Vizsgálat |
|
TGHMVR200JE | Ohmite | 0.2 OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHPV27R0KE | Ohmite | SOT-227 600W 27 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV10R0KE | Ohmite | SOT-227 600W 10 OHM | Vizsgálat |
|
TGHMVR500JE | Ohmite | 0.5 OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHMV5K00JE | Ohmite | 5K OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHPV1R00KE | Ohmite | SOT-227 600W 1 OHM | Vizsgálat |
|
TGHMVR100JE | Ohmite | 0.1 OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHPV50R0KE | Ohmite | SOT-227 600W 50 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV5R00KE | Ohmite | SOT-227 600W 5 OHM | Vizsgálat |
|
TGHPV68R0KE | Ohmite | SOT-227 600W 68 OHM | Vizsgálat |
|
TGHMV50R0JE | Ohmite | 50 OHM 300 WATT SOT227 5% TF | Vizsgálat |
|
TGHPV750RKE | Ohmite | SOT-227 600W 750 OHM | Vizsgálat |
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében