SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1
Cikkszám:
SI8808DB-T2-E1
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
37185 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SI8808DB-T2-E1.pdf

Bevezetés

Az SI8808DB-T2-E1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI8808DB-T2-E1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI8808DB-T2-E1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI8808DB-T2-E1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:4-Microfoot
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:95 mOhm @ 1A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):500mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:4-UFBGA
Más nevek:SI8808DB-T2-E1TR
SI8808DBT2E1
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:46 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 8V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.5V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Részletes leírás:N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások