SI7456DP-T1-GE3
SI7456DP-T1-GE3
Cikkszám:
SI7456DP-T1-GE3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
36678 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SI7456DP-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az SI7456DP-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI7456DP-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI7456DP-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI7456DP-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 9.3A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.9W (Ta)
Csomagolás:Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8
Más nevek:SI7456DP-T1-GE3CT
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:33 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):6V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Részletes leírás:N-Channel 100V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:5.7A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások