Az SI4876DY-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI4876DY-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI4876DY-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI4876DY-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI4876DY-T1-GE3
- Cikkszám:
- SI4876DY-T1-GE3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 55077 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI4876DY-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 600mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 21A, 4.5V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.6W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 4.5V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
| Részletes leírás: | N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI4876DY-T1-GE3-hoz
Latest News
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket