SI4288DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4288DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
21876 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SI4288DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az SI4288DY-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI4288DY-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI4288DY-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI4288DY-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Feszültség - teszt:580pF @ 20V
Feszültségelosztás:8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id:20 mOhm @ 10A, 10V
Sorozat:TrenchFET®
RoHS állapot:Tape & Reel (TR)
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:9.2A
Teljesítmény - Max:3.1W
Polarizáció:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SI4288DY-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI4288DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:15nC @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 250µA
FET funkció:2 N-Channel (Dual)
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):Logic Level Gate
Leírás:MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:40V
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások