NTMSD6N303R2SG
Cikkszám:
NTMSD6N303R2SG
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
30754 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
NTMSD6N303R2SG.pdf

Bevezetés

Az NTMSD6N303R2SG most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NTMSD6N303R2SG állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNTMSD6N303R2SGe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NTMSD6N303R2SG LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-SOIC
Sorozat:FETKY™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):3 (168 Hours)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:Schottky Diode (Isolated)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Részletes leírás:N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások