Az NSBC123JPDXV6T1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NSBC123JPDXV6T1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNSBC123JPDXV6T1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NSBC123JPDXV6T1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NSBC123JPDXV6T1G
- Cikkszám:
- NSBC123JPDXV6T1G
- Leírás:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 42600 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NSBC123JPDXV6T1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tranzisztor típusú: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-563 |
| Sorozat: | - |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 47 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 2.2 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 500mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-563, SOT-666 |
| Más nevek: | NSBC123JPDXV6T1GOS NSBC123JPDXV6T1GOS-ND NSBC123JPDXV6T1GOSTR |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 4 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 100mA |
| Alap rész száma: | NSBC1* |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NSBC123JPDXV6T1G-hoz
Latest News
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít