Az NE3521M04-T2-A most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NE3521M04-T2-A állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNE3521M04-T2-Ae-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NE3521M04-T2-A LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NE3521M04-T2-A
- Cikkszám:
- NE3521M04-T2-A
- Leírás:
- IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 27804 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NE3521M04-T2-A.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 2V |
| Feszültség - névleges: | 4V |
| Tranzisztor típusú: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 4-SMD, Flat Leads |
| Más nevek: | NE3521M04-T2-ATR |
| Zaj kép: | 0.85dB |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nyereség: | 11dB |
| Frekvencia: | 20GHz |
| Részletes leírás: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB |
| Jelenlegi értékelés: | 70mA |
| Jelenlegi - teszt: | 6mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NE3521M04-T2-A-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos