Az NE3513M04-A most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NE3513M04-A állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNE3513M04-Ae-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NE3513M04-A LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NE3513M04-A
- Cikkszám:
- NE3513M04-A
- Leírás:
- FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54802 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NE3513M04-A.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 2V |
| Feszültség - névleges: | 4V |
| Tranzisztor típusú: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Szállító eszközcsomag: | M04 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 125mW |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | SOT-343F |
| Zaj kép: | 0.65dB |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nyereség: | 13dB |
| Frekvencia: | 12GHz |
| Részletes leírás: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04 |
| Jelenlegi értékelés: | 60mA |
| Jelenlegi - teszt: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NE3513M04-A-hoz
Latest News
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét