Az NCS2333DR2G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az NCS2333DR2G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetNCS2333DR2Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon NCS2333DR2G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
NCS2333DR2G
- Cikkszám:
- NCS2333DR2G
- Leírás:
- IC OP AMP ZERO DRIFT DUAL 8SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 48063 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NCS2333DR2G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás, Single / Dual (±): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Feszültség - bemeneti eltolás: | 6µV |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Elfordulási arány: | 0.15 V/µs |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Kimeneti típus: | Rail-to-Rail |
| Más nevek: | NCS2333DR2GOSTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Az áramkörök száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Nyereség sávszélesség termék: | 270kHz |
| Részletes leírás: | Zero-Drift Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| Jelenlegi - ellátás: | 21µA |
| Áram - kimenet / csatorna: | 11mA |
| Aktuális - Bemeneti torzítás: | 60pA |
| Erősítő típusa: | Zero-Drift |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NCS2333DR2G-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos