Az LSM9DS0TR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az LSM9DS0TR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetLSM9DS0TRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon LSM9DS0TR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
LSM9DS0TR
- Cikkszám:
- LSM9DS0TR
- Gyártó:
- STMicroelectronics
- Leírás:
- IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 50414 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- LSM9DS0TR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Szállító eszközcsomag: | 24-LGA (4x4) |
| Sorozat: | iNEMO |
| Érzékelő típusa: | Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, Temperature, 3 Axis |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | 24-TFLGA |
| Kimeneti típus: | I²C, SPI |
| Más nevek: | 497-13902-6 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, Temperature, 3 Axis Sensor I²C, SPI Output |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az LSM9DS0TR-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM6DSOTR | STMicroelectronics | CONSUMER MEMS | Vizsgálat |
 |
LSM840JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Vizsgálat |
|
LSM845JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Vizsgálat |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | Vizsgálat |
|
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | Vizsgálat |
|
LSM845J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Vizsgálat |
 |
LSM845JE3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Vizsgálat |
 |
LSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Vizsgálat |
|
LSM845GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Vizsgálat |
|
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Vizsgálat |
|
LSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | Vizsgálat |
|
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Vizsgálat |
|
LSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | Vizsgálat |
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | Vizsgálat |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | Vizsgálat |
 |
LSM9DS1TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA | Vizsgálat |
|
LSM845G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | Vizsgálat |
|
LSM6DSLUSTR | STMicroelectronics | MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA | Vizsgálat |
|
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | Vizsgálat |
|
LSM845J | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | Vizsgálat |
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében