Az IPP110N20N3GXKSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IPP110N20N3GXKSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIPP110N20N3GXKSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IPP110N20N3GXKSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IPP110N20N3GXKSA1
- Cikkszám:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46300 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO-220-3 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 88A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 300W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | IPP110N20N3 G IPP110N20N3 G-ND IPP110N20N3G SP000677892 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 200V |
| Részletes leírás: | N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 88A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPP110N20N3GXKSA1-hoz
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében