Az IPB035N08N3 G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IPB035N08N3 G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIPB035N08N3 Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IPB035N08N3 G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IPB035N08N3 G
- Cikkszám:
- IPB035N08N3 G
- Leírás:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59792 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IPB035N08N3 G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - teszt: | 8110pF @ 40V |
| Feszültségelosztás: | PG-TO263-2 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RoHS állapot: | Digi-Reel® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 100A (Tc) |
| Polarizáció: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | IPB035N08N3 GDKR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | IPB035N08N3 G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 117nC @ 10V |
| IGBT típus: | ±20V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 80V |
| Kapacitásarány: | 214W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPB035N08N3 G-hoz
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében