Az GPA030A135MN-FDR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GPA030A135MN-FDR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGPA030A135MN-FDRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GPA030A135MN-FDR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GPA030A135MN-FDR
- Cikkszám:
- GPA030A135MN-FDR
- Leírás:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 51502 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- GPA030A135MN-FDR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1350V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 30A |
| Teszt állapot: | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 30ns/145ns |
| Energiaváltás: | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-3PN |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 450ns |
| Teljesítmény - Max: | 329W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-3 |
| Más nevek: | 1560-1221-1 1560-1221-1-ND 1560-1221-5 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 300nC |
| Részletes leírás: | IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 90A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GPA030A135MN-FDR-hoz
Latest News
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket