Az FZ800R12KS4B2NOSA1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FZ800R12KS4B2NOSA1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFZ800R12KS4B2NOSA1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FZ800R12KS4B2NOSA1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FZ800R12KS4B2NOSA1
- Cikkszám:
- FZ800R12KS4B2NOSA1
- Leírás:
- MODULE IGBT A-IHM130-1
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 47744 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.7V @ 15V, 800A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 7600W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | FZ800R12KS4_B2 SP000100554 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| NTC termisztor: | No |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 52nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Részletes leírás: | IGBT Module Single 1200V 1200A 7600W Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 1200A |
| Configuration: | Single |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FZ800R12KS4B2NOSA1-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében