FZ800R12KS4B2NOSA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FZ800R12KS4B2NOSA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FZ800R12KS4B2NOSA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FZ800R12KS4B2NOSA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FZ800R12KS4B2NOSA1
- Part Number:
- FZ800R12KS4B2NOSA1
- Popis:
- MODULE IGBT A-IHM130-1
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 47744 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.7V @ 15V, 800A |
| Dodavatel zařízení Package: | Module |
| Série: | - |
| Power - Max: | 7600W |
| Paket / krabice: | Module |
| Ostatní jména: | FZ800R12KS4_B2 SP000100554 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| NTC termistor: | No |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 52nF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | - |
| Detailní popis: | IGBT Module Single 1200V 1200A 7600W Chassis Mount Module |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 5mA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 1200A |
| Konfigurace: | Single |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FZ800R12KS4B2NOSA1
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení