FDP12N60NZ
FDP12N60NZ
Cikkszám:
FDP12N60NZ
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
50264 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
1.FDP12N60NZ.pdf2.FDP12N60NZ.pdf

Bevezetés

Az FDP12N60NZ most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FDP12N60NZ állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFDP12N60NZe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FDP12N60NZ LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220-3
Sorozat:UniFET-II™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):240W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1676pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Részletes leírás:N-Channel 600V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások