Az EFL-500ELL4R7MD07D most elérhető!Az LYNTEAM technológia az EFL-500ELL4R7MD07D állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetEFL-500ELL4R7MD07De-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon EFL-500ELL4R7MD07D LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
EFL-500ELL4R7MD07D
- Cikkszám:
- EFL-500ELL4R7MD07D
- Gyártó:
- Nippon Chemi-Con
- Leírás:
- CAP ALUM 4.7UF 20% 50V THRU HOLE
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 35026 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- EFL-500ELL4R7MD07D.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - névleges: | 50V |
| Tolerancia: | ±20% |
| Felszíni földterület: | - |
| Méret / dimenzió: | 0.157" Dia (4.00mm) |
| Sorozat: | FL |
| Ripple Current @ alacsony frekvenciájú: | 10.5mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 30mA @ 100kHz |
| Értékelések: | - |
| Polarizáció: | Polar |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Can |
| Más nevek: | 565-4417 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 105°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Élettartam @ Hőm.: | 3000 Hrs @ 105°C |
| Ólomtartomány: | 0.059" (1.50mm) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancia: | 9 Ohms |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.315" (8.00mm) |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | - |
| Részletes leírás: | 4.7µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C |
| Kapacitancia: | 4.7µF |
| Alkalmazások: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az EFL-500ELL4R7MD07D-hoz
Latest News
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára