EFL-500ELL4R7MD07D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EFL-500ELL4R7MD07D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EFL-500ELL4R7MD07D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EFL-500ELL4R7MD07D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EFL-500ELL4R7MD07D
- رقم القطعة:
- EFL-500ELL4R7MD07D
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 4.7UF 20% 50V THRU HOLE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35026 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EFL-500ELL4R7MD07D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.157" Dia (4.00mm) |
| سلسلة: | FL |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 10.5mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 30mA @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 565-4417 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 3000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.059" (1.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 9 Ohms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.315" (8.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 4.7µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 4.7µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEFL-500ELL4R7MD07D
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة