Az DRV5013AGQDBZT most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DRV5013AGQDBZT állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDRV5013AGQDBZTe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DRV5013AGQDBZT LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DRV5013AGQDBZT
- Cikkszám:
- DRV5013AGQDBZT
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- MAGNETIC SWITCH LATCH
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49507 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DRV5013AGQDBZT.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 2.7 V ~ 38 V |
| Teszt állapot: | -40°C ~ 125°C |
| Technológia: | Hall Effect |
| Sorozat: | - |
| Érzékelési tartomány: | 9mT Trip, -9mT Release |
| Polarizáció: | South Pole |
| Kimeneti típus: | Open Drain |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkció: | Latch |
| Jellemzők: | Temperature Compensated |
| Részletes leírás: | Digital Switch Latch Open Drain Hall Effect |
| Áram - táplálás (max.): | 2.7mA (Typ) |
| Áram - kimenet (max.): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DRV5013AGQDBZT-hoz
Latest News
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében
- A nagy chipgyárat a földrengés sújtotta: a TSMC sürgősen abbahagyta a munkát, és hiányzott a GPU -ellátás hiánya?
- A NAND Flash memória folytatódik, az MCU Destocking Bottom igaza van