Az DMN3730UFB4-7 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DMN3730UFB4-7 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDMN3730UFB4-7e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DMN3730UFB4-7 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DMN3730UFB4-7
- Cikkszám:
- DMN3730UFB4-7
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 30036 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DMN3730UFB4-7.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | X2-DFN1006-3 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 460 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Teljesítményleadás (Max): | 470mW (Ta) |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | 3-XFDFN |
| Más nevek: | DMN3730UFB4-7CT |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 64.3pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 1.8V, 4.5V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | N-Channel 30V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN3730UFB4-7-hoz
Latest News
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében
- A nagy chipgyárat a földrengés sújtotta: a TSMC sürgősen abbahagyta a munkát, és hiányzott a GPU -ellátás hiánya?
- A NAND Flash memória folytatódik, az MCU Destocking Bottom igaza van
- Az AI légiközlekedési outlet alatt a két fő chip -óriás "nem erős": a játék megtöréséhez a pénz összetörése, a 2025 -ös csapat csatákra fogadáshoz.