Az DG2523DN-T1-GE4 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DG2523DN-T1-GE4 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDG2523DN-T1-GE4e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DG2523DN-T1-GE4 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
DG2523DN-T1-GE4
- Cikkszám:
- DG2523DN-T1-GE4
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 29003 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- DG2523DN-T1-GE4.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás, Single (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Feszültségellátás, kettős (V ±): | - |
| Kapcsolási idő (tonna, toff) (Max): | 60µs, 1µs |
| Kapcsoló áramkör: | DPDT |
| Szállító eszközcsomag: | 16-QFN (3x3) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Más nevek: | DG2523DN-T1-GE4-ND DG2523DN-T1-GE4TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Helyzetellenállás (Max): | 550 mOhm |
| Az áramkörök száma: | 2 |
| Multiplexer / demultiplexer áramkör: | 2:2 |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 2 Circuit IC Switch 2:2 550 mOhm 16-QFN (3x3) |
| Áram - Szivárgás (IS (kikapcsolva)) (Max): | 1nA |
| Áthallás: | -61dB @ 1MHz |
| Töltés befecskendezés: | -19pC |
| Csatorna-csatornás illesztés (ΔRon): | 50 mOhm |
| Csatorna kapacitás (CS (kikapcsolva), CD (kikapcsolva)): | - |
| -3db sávszélesség: | 310MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DG2523DN-T1-GE4-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be