DG2523DN-T1-GE4 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for DG2523DN-T1-GE4, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for DG2523DN-T1-GE4 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb DG2523DN-T1-GE4 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
DG2523DN-T1-GE4
- Varenummer:
- DG2523DN-T1-GE4
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivelse:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 29003 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- DG2523DN-T1-GE4.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Supply, Single (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Spænding - Supply, Dual (V ±): | - |
| Skift tid (Ton, Toff) (Max): | 60µs, 1µs |
| Skift kredsløb: | DPDT |
| Leverandør Device Package: | 16-QFN (3x3) |
| Serie: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Andre navne: | DG2523DN-T1-GE4-ND DG2523DN-T1-GE4TR |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| On-State Resistance (Max): | 550 mOhm |
| Antal kredsløb: | 2 |
| Multiplexer / Demultiplexer Circuit: | 2:2 |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljeret beskrivelse: | 2 Circuit IC Switch 2:2 550 mOhm 16-QFN (3x3) |
| Nuværende - Lækage (IS (slukket)) (Max): | 1nA |
| crosstalk: | -61dB @ 1MHz |
| Charge Injection: | -19pC |
| Kanal til kanal matching (ΔRon): | 50 mOhm |
| Kanalkapacitans (CS (slukket), CD (slukket)): | - |
| -3db båndbredde: | 310MHz |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til DG2523DN-T1-GE4
Laast News
- Qorvo lancerede branchens enestående høje -gain 5G Mmimo Preliminaries
- Simuleringscyklusbeholdning Bottoming Out, AI driver Flash Memory -efterspørgsel fortsætter
- Microns plan om at bygge en fabrik, NAND -flashhukommelse til høje priser eller vedligeholdelse
- ADI -ydeevne er reduceret, kobberfoliunderlag er steget, opbevaring af original fabriksstigning Produktionskonservativ
- Bølgen af intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med at frigive MX Lidar
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien