Az CD40107BPSR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az CD40107BPSR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetCD40107BPSRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon CD40107BPSR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
CD40107BPSR
- Cikkszám:
- CD40107BPSR
- Gyártó:
- TI
- Leírás:
- IC GATE NAND OD 2CH 2-INP 8SO
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 25385 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- CD40107BPSR.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 18 V |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
| Sorozat: | 4000B |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Más nevek: | 296-14083-2 CD40107BPSRE4 CD40107BPSRE4-ND CD40107BPSRG4 CD40107BPSRG4-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Bemenetek száma: | 2 |
| Az áramkörök száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Propagation Delay @ V, Max CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Logikai típus: | NAND Gate |
| Logikai szint - alacsony: | 1.5 V ~ 4 V |
| Logikai szint - magas: | 3.5 V ~ 11 V |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Jellemzők: | Open Drain |
| Részletes leírás: | NAND Gate IC 2 Channel Open Drain 8-SO |
| Aktuális - Leszúrás (Max): | 4µA |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | -, 68mA |
| Alap rész száma: | 40107 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az CD40107BPSR-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be