CD40107BPSR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro CD40107BPSR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro CD40107BPSR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si CD40107BPSR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
CD40107BPSR
- Part Number:
- CD40107BPSR
- Výrobce:
- TI
- Popis:
- IC GATE NAND OD 2CH 2-INP 8SO
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25385 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- CD40107BPSR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 3 V ~ 18 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | 4000B |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Ostatní jména: | 296-14083-2 CD40107BPSRE4 CD40107BPSRE4-ND CD40107BPSRG4 CD40107BPSRG4-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet vstupů: | 2 |
| Počet okruhů: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max prodlení propagace @ V, Max CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Typ logiky: | NAND Gate |
| Logic Level - Low: | 1.5 V ~ 4 V |
| Logic Level - Vysoká: | 3.5 V ~ 11 V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkce: | Open Drain |
| Detailní popis: | NAND Gate IC 2 Channel Open Drain 8-SO |
| Proud - Klidový (Max): | 4µA |
| Aktuální - Výstup High, Low: | -, 68mA |
| Číslo základní části: | 40107 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro CD40107BPSR
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC