Az 80277H most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 80277H állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet80277He-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 80277H LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
80277H
- Cikkszám:
- 80277H
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- RF POWER TRANSISTOR
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 33953 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 80277H.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Sorozat: | - |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | RF Transistor |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 80277H-hoz
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében