Az 2SK4150TZ-E most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 2SK4150TZ-E állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet2SK4150TZ-Ee-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 2SK4150TZ-E LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
2SK4150TZ-E
- Cikkszám:
- 2SK4150TZ-E
- Gyártó:
- Renesas Electronics America
- Leírás:
- MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 49989 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 2SK4150TZ-E.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-92 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 5.7 Ohm @ 200mA, 4V |
| Teljesítményleadás (Max): | 750mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 80pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.7nC @ 4V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 4V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 250V |
| Részletes leírás: | N-Channel 250V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 400mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 2SK4150TZ-E-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében