2SK4150TZ-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 2SK4150TZ-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 2SK4150TZ-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 2SK4150TZ-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
2SK4150TZ-E
- رقم القطعة:
- 2SK4150TZ-E
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49989 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 2SK4150TZ-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.7 Ohm @ 200mA, 4V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 750mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 80pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.7nC @ 4V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 250V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 400mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK4150TZ-E
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC