Το WNDR10FET είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την WNDR10FET, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το WNDR10FET μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε WNDR10FET με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
WNDR10FET
- Αριθμός εξαρτήματος:
- WNDR10FET
- Κατασκευαστής:
- Ohmite
- Περιγραφή:
- RES 0.1 OHM 3W 1% AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31574 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- WNDR10FET.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάσης - Εργασίας: | 3W |
| Τάσης - Ανάλυση: | Axial |
| Πάχος (Max): | ±90ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
| Σειρά: | WN |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | Axial |
| Άλλα ονόματα: | WNDR10FETTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | WNDR10FET |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Non-Inductive |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 0.1 Ohm ±1% 3W Through Hole Resistor Axial Non-Inductive Wirewound |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±1% |
| Περιγραφή: | RES 0.1 OHM 3W 1% AXIAL |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Wirewound |
| εύρος ζώνης: | 0.1 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για WNDR10FET
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
WND5R0FET | Ohmite | RES 5 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
FMP200FBF52-1R07 | Yageo | RES MF 2W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
WNDR50FET | Ohmite | RES 0.5 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
ROX10011M0FKLB | Dale / Vishay | RES 11M OHM 1% 4W AXIAL | Έρευνα |
|
WND1R0FET | Ohmite | RES 1 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
RSF1JT510R | Stackpole Electronics, Inc. | RES 510 OHM 1W 5% AXIAL | Έρευνα |
|
WND100FET | Ohmite | RES 100 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
WND10RFET | Ohmite | RES 10 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
WND1K0FET | Ohmite | RES 1K OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
RLR07C8200GSB14 | Dale / Vishay | RES 820 OHM 2% 1/4W AXIAL | Έρευνα |
|
HHV-50FR-52-332K | Yageo | RES MF 1/2W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RWR81N1500FMBSL | Dale / Vishay | RES 150 OHM 1W 1% WW AXIAL | Έρευνα |
 |
CP000739K00KE663 | Dale / Vishay | RES 39K OHM 7W 10% AXIAL | Έρευνα |
|
WND560FET | Ohmite | RES 560 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
HHV1WSFT-73-1M1 | Yageo | RES MF 1W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
RNC55H5321FSB14 | Dale / Vishay | RES 5.32K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
 |
CMF55820K00GLR6 | Dale / Vishay | RES 820K OHM 1/2W 2% AXIAL | Έρευνα |
|
WND250FET | Ohmite | RES 250 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
WND15RFET | Ohmite | RES 15 OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
WND2K5FET | Ohmite | RES 2.5K OHM 3W 1% AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο