Το VS-EPU3006-N3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VS-EPU3006-N3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VS-EPU3006-N3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VS-EPU3006-N3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VS-EPU3006-N3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VS-EPU3006-N3
- Κατασκευαστής:
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35085 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VS-EPU3006-N3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 30A |
| Τάσης - Ανάλυση: | TO-247AC Modified |
| Σειρά: | FRED Pt® |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | TO-247-2 |
| Άλλα ονόματα: | VSEPU3006N3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 45ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | VS-EPU3006-N3 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247AC Modified |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 30µA @ 600V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 2V @ 30A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VS-EPU3006-N3
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC