Το VP0808B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VP0808B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VP0808B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VP0808B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VP0808B
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VP0808B
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25177 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VP0808B.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-39 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 6.25W (Ta) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 80V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 880mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VP0808B
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
VP03EP | Carlo Gavazzi | LVL SEN OPTICAL PNP NC | Έρευνα |
 |
VP02EP | Carlo Gavazzi | SENS OPTICAL LIQUID LEVEL PNP NO | Έρευνα |
|
VP02EM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD NPN NO | Έρευνα |
|
VP02E | Carlo Gavazzi | SENS OPTICAL LIQUID LEVEL NPN NO | Έρευνα |
|
VP04EM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD NPN NO | Έρευνα |
|
VP04E | Carlo Gavazzi | LVL SEN OPTICAL NPN NO | Έρευνα |
|
VP02-110TB | Carlo Gavazzi | LVL SEN OPTICAL 110VAC NO | Έρευνα |
|
VP03E | Carlo Gavazzi | LVL SNSR OPTICAL NPN NC | Έρευνα |
 |
VP0300B-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205 | Έρευνα |
 |
VP0808L-G | Micrel / Microchip Technology | MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3 | Έρευνα |
|
VP0550N3-G | Micrel / Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 | Έρευνα |
|
VP02EPM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD PNP NO | Έρευνα |
 |
VP0808B-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Έρευνα |
|
VP0808B-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Έρευνα |
|
VP0550N3-G-P013 | Micrel / Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 | Έρευνα |
|
VP04EPM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD PNP NO | Έρευνα |
|
VP02-230TB | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL 230VAC NO | Έρευνα |
|
VP03EPM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD PNP NC | Έρευνα |
|
VP03EM | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL MOD NPN NC | Έρευνα |
|
VP04EP | Carlo Gavazzi | SEN LVL OPTICAL PNP NO | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας