Το VND5E012AYTR-E είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VND5E012AYTR-E, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VND5E012AYTR-E μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VND5E012AYTR-E με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VND5E012AYTR-E
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VND5E012AYTR-E
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC DUAL HIGH SIDE DVR PWRSSO-36
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23660 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VND5E012AYTR-E.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Τάση - Φορτίο: | 4.5 V ~ 28 V |
| Τύπος Αλλαγής: | General Purpose |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PowerSSO-36 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q100, VIPOWER™ |
| Rds On (Τύπος): | 11 mOhm |
| Λόγος - Είσοδος: Έξοδος: | 1:1 |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | PowerSSO-36 Exposed Bottom Pad |
| Τύπος εξόδου: | N-Channel |
| Διαμόρφωση εξόδου: | High Side |
| Αλλα ονόματα: | 497-10504-2 VND5E012AYTRE |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Αριθμός Εξόδων: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| διασύνδεση: | On/Off |
| Τύπος εισόδου: | Non-Inverting |
| Χαρακτηριστικά: | Auto Restart |
| Προστασία σφαλμάτων: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| Τρέχουσες - εξόδου (Max): | 52A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | VND5E012 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VND5E012AYTR-E
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
VND5E025AYTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO36 | Έρευνα |
|
VND5E008AYTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO36 | Έρευνα |
|
VND5E025AY-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO36 | Έρευνα |
 |
VND5E006ASP-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16SOP | Έρευνα |
|
VND5E012MYTR-E | STMicroelectronics | IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO36 | Έρευνα |
|
VND5E012AY-E | STMicroelectronics | IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO36 | Έρευνα |
 |
VND5E025LK-E | STMicroelectronics | IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO24 | Έρευνα |
|
VND5E012MY-E | STMicroelectronics | IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO36 | Έρευνα |
|
VND5E006ASPTR-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HISIDE 2CH 16SOP | Έρευνα |
 |
VND5E004C30TR-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HISIDE 2CH PWRSO30 | Έρευνα |
|
VND5E004C30-E | STMicroelectronics | IC DVR SWITCH HISIDE 2CH PWRSO30 | Έρευνα |
|
VND5E008ASP-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSO16 | Έρευνα |
|
VND5E008AY-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO36 | Έρευνα |
 |
VND5E025ASTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16SOIC | Έρευνα |
 |
VND5E025BK-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | Έρευνα |
|
VND5E025AKTR-E | STMicroelectronics | IC SW M0-5 2CH 60A ANLG PWRSSO24 | Έρευνα |
|
VND5E008MYTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO36 | Έρευνα |
|
VND5E025AK-E | STMicroelectronics | IC SW M0-5 2CH 60A ANLG PWRSSO24 | Έρευνα |
|
VND5E008ASPTR-E | STMicroelectronics | IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSO16 | Έρευνα |
|
VND5E025BKTR-E | STMicroelectronics | IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί