Το VLS6045EX-2R2N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VLS6045EX-2R2N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VLS6045EX-2R2N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VLS6045EX-2R2N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VLS6045EX-2R2N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VLS6045EX-2R2N
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 2.2UH 5.1A 25 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23725 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.VLS6045EX-2R2N.pdf2.VLS6045EX-2R2N.pdf3.VLS6045EX-2R2N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±30% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | VLS-EX |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 445-173049-2 VLS6045EX-2R2N-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 2.2µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.177" (4.50mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 5.1A 25 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 25 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 5.1A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 7.5A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VLS6045EX-2R2N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
VLS6045EX-1R2N | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 5.4A 14 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-4R7M | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 4.2A 35 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-3R3N | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 4.95A 30 MOHM | Έρευνα |
|
VLS6045EX-1R5N | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 5.3A 22 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-3R0N | TDK Corporation | FIXED IND 3UH 5A 22 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-221M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 500MA 1.495 OHM | Έρευνα |
|
VLS6045EX-4R7M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 4.2A 35.1MOHMSMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-220M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 1.9A 136.5MOHMSMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-220M | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 1.9A 137 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-3R6N | TDK Corporation | FIXED IND 3.6UH 4.9A 24 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-470M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.3A 299MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-470M | TDK Corporation | FIXED IND 47UH 1.3A 299 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-151M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 150UH 700MA 988MOHMSMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-3R3N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 4.95A 29.9 MOHM | Έρευνα |
|
VLS6045EX-330M | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 1.5A 228 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-2R0N | TDK Corporation | FIXED IND 2UH 5.2A 18 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-221M | TDK Corporation | FIXED IND 220UH 500MA 1.495 OHM | Έρευνα |
|
VLS6045EX-330M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 33UH 1.5A 227.5MOHMSMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-1R0N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 6A 15.6MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS6045EX-1R0N | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 6A 16 MOHM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash