Το VLS2010ET-R56N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VLS2010ET-R56N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VLS2010ET-R56N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VLS2010ET-R56N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VLS2010ET-R56N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VLS2010ET-R56N
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 560NH 2A 60 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25529 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VLS2010ET-R56N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±30% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | VLS |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 445-6596-2 VLS2010ETR56N |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 1MHz |
| Επαγωγή: | 560nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 560nH Shielded Wirewound Inductor 2A 60 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 60 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 2A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 2A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VLS2010ET-R56N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
VLS2010ET-3R3M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 860MA 348 MOHM | Έρευνα |
 |
VLS2012ET-1R5N | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 1.2A 108 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-6R8M | TDK Corporation | FIXED IND 6.8UH 570MA 648 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-150M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 470MA 1.062 OHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-100M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 10UH 530MA 834 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-4R7M | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 700MA 408 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-220M | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 330MA 2.04 OHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-2R2M | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 1A 228 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS2012ET-1R0N | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 1.45A 86 MOHM SMD | Έρευνα |
|
VLS2010ET-R56N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 560NH 2.05A 60 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-150M | TDK Corporation | FIXED IND 15UH 400MA 1.062 OHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-100M | TDK Corporation | FIXED IND 10UH 470MA 834 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-220M | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 330MA 1.764 OHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-3R3M | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 830MA 348 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-220M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 22UH 350MA 2.04 OHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-6R8M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 6.8UH 630MA 648 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-4R7M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 790MA 408 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2010ET-2R2M-CA | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 1.05A 228 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-1R5N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 1.45A 108 MOHM | Έρευνα |
|
VLS2012ET-1R0N-CA | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 1.65A 86 MOHM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική