Το V23105A5475A201 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την V23105A5475A201, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το V23105A5475A201 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε V23105A5475A201 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
V23105A5475A201
- Αριθμός εξαρτήματος:
- V23105A5475A201
- Κατασκευαστής:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Περιγραφή:
- RELAY TELECOM DPDT 3A 5V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28164 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.V23105A5475A201.pdf2.V23105A5475A201.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | - |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | - |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 250VAC, 220VDC - Max |
| Σειρά: | V23105, AXICOM |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 4ms |
| Τύπος ρελέ: | Telecom |
| Συσκευασία: | Tube |
| Αλλα ονόματα: | 1-1393793-2 PB2126 V23105A5475A201-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 6ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) 5VDC Coil Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 3A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Nickel (AgNi) |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | DPDT (2 Form C) |
| πηνίο τάσης: | 5VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 36 Ohms |
| πηνίο ισχύος: | 695 mW |
| πηνίο Τρέχουσα: | 139mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για V23105A5475A201
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο