Το UPR5E3/TR7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την UPR5E3/TR7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το UPR5E3/TR7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε UPR5E3/TR7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
UPR5E3/TR7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- UPR5E3/TR7
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30578 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.UPR5E3/TR7.pdf2.UPR5E3/TR7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 975mV @ 2A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 50V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-216 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 25ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-216AA |
| Αλλα ονόματα: | UPR5E3 UPR5E3/TR7-ND UPR5E3/TR7TR UPR5E3TR UPR5E3TR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount DO-216 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 2µA @ 50V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 2.5A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | UPR5 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για UPR5E3/TR7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
UPR60E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR30/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR5/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Έρευνα |
|
UPR40E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR20/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR20E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR20/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR40/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR60/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR20E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR40/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR30E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR40E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR5/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Έρευνα |
|
UPR5E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Έρευνα |
|
UPR60/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR30/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR30E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Έρευνα |
|
UPR15E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | Έρευνα |
|
UPR60E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC