Το UBT1V102MHD1TN είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την UBT1V102MHD1TN, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το UBT1V102MHD1TN μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε UBT1V102MHD1TN με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
UBT1V102MHD1TN
- Αριθμός εξαρτήματος:
- UBT1V102MHD1TN
- Κατασκευαστής:
- Nichicon
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 1000UF 20% 35V RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36439 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.UBT1V102MHD1TN.pdf2.UBT1V102MHD1TN.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 35V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Σειρά: | UBT |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 1.347A @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 2.01A @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | 493-4504-3 UBT1V102MHD1TD |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 33 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 10000 Hrs @ 125°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.295" (7.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 31 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.063" (27.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1000µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 125°C |
| χωρητικότητα: | 1000µF |
| εφαρμογές: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για UBT1V102MHD1TN
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
UBT1K471MHD | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 80V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1K471MHD1TN | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 80V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V221MPD8TD | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
 |
UBT1K471MHD8 | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 80V THRU HOLE | Έρευνα |
|
UBT1V101MPD8TD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 35V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
UBT1V221MPD8 | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
 |
UBT1V331MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
 |
UBT1V101MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V102MHD8 | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 35V THRUHOLE | Έρευνα |
|
UBT1K471MHD8TN | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 80V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
UBT1V101MPD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V102MHD8TN | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 35V THRUHOLE | Έρευνα |
|
UBT1V222MHD8 | Nichicon | CAP ALUM 2200UF 20% 35V THRUHOLE | Έρευνα |
|
UBT1K471MNDDCTCC | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 80V RADIAL | Έρευνα |
 |
UBT1V222MHD | Nichicon | CAP ALUM 2200UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V101MPD8 | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 35V THRU HOLE | Έρευνα |
|
UBT1V221MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V102MHD | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V331MPD | Nichicon | CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
|
UBT1V221MPD | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο