Το TPH3206LD είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την TPH3206LD, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το TPH3206LD μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε TPH3206LD με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
TPH3206LD
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TPH3206LD
- Κατασκευαστής:
- Transphorm
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 17A PQFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35733 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- TPH3206LD.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| Τεχνολογία: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PQFN (8x8) |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 96W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-PowerDFN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TPH3206LD
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3202PS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | Έρευνα |
 |
TPH3207WS | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 | Έρευνα |
 |
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV | Έρευνα |
 |
TPH3208LD | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3206PS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 | Έρευνα |
|
TPH3202PD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | Έρευνα |
 |
TPH3206LSB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | Έρευνα |
|
TPH2900ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 | Έρευνα |
|
TPH2R506PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Έρευνα |
 |
TPH3206LS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3206PD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 | Έρευνα |
|
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 | Έρευνα |
|
TPH3202LS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3205WSB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 | Έρευνα |
|
TPH3206LDB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3202LD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3206LDGB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3206PSB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB | Έρευνα |
|
TPH3208LDG | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | Έρευνα |
|
TPH3205WSBQA | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο