Το TNPW040284R5BEED είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την TNPW040284R5BEED, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το TNPW040284R5BEED μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε TNPW040284R5BEED με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
TNPW040284R5BEED
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TNPW040284R5BEED
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES 84.5 OHM 0.1% 1/10W 0402
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 37845 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.TNPW040284R5BEED.pdf2.TNPW040284R5BEED.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±0.1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±25ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0402 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Σειρά: | TNPW e3 |
| Λειτουργία του πίνακα: | 84.5 Ohms |
| Ισχύς (Watts): | 0.1W, 1/10W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0402 (1005 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | TNPW0402 84R5 0.1% T9 ET7 E3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.016" (0.40mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 84.5 Ohms ±0.1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant Thin Film |
| Σύνθεση: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TNPW040284R5BEED
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
TNPW040283K5BETD | Dale / Vishay | RES 83.5K OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040286R6BETD | Dale / Vishay | RES 86.6 OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402866RFEED | Dale / Vishay | RES 866 OHM 1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040286R6BEED | Dale / Vishay | RES 86.6 OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402866RDETD | Dale / Vishay | RES 866 OHM 0.5% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040286K6BETD | Dale / Vishay | RES 86.6K OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402845RBEED | Dale / Vishay | RES 845 OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402866RBEED | Dale / Vishay | RES 866 OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040283K5BEED | Dale / Vishay | RES 83.5K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284K5BETD | Dale / Vishay | RES 84.5K OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284K5DHED | Dale / Vishay | RES 84.5K OHM 0.5% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284R5BETD | Dale / Vishay | RES 84.5 OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040286R6BYEP | Dale / Vishay | RES 86.6 OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040283K5BHED | Dale / Vishay | RES 83.5K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284K5BEED | Dale / Vishay | RES 84.5K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402866RBETD | Vishay Dale | RES SMD 866 OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284K5BYED | Dale / Vishay | RES 84.5K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW0402845RBETD | Vishay Dale | RES SMD 845 OHM 0.1% 1/16W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040284K5BHED | Dale / Vishay | RES 84.5K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
|
TNPW040286K6BEED | Dale / Vishay | RES 86.6K OHM 0.1% 1/10W 0402 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash