Το T92S11D12-110 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την T92S11D12-110, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το T92S11D12-110 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε T92S11D12-110 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
T92S11D12-110
- Αριθμός εξαρτήματος:
- T92S11D12-110
- Κατασκευαστής:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Περιγραφή:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 30A 110V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / σύμφωνο RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38325 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- T92S11D12-110.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ενεργοποίηση Τάσης (Max): | 82.5 VDC |
| Απενεργοποίηση Τάσης (Min): | 11 VDC |
| Στυλ λήξης: | PC Pin |
| εναλλαγή τάσης: | 277VAC - Nom |
| Σειρά: | T92 |
| Χρόνος αποδέσμευσης: | 15ms |
| Τύπος ρελέ: | General Purpose |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Αλλα ονόματα: | 8-1393211-8 PB1010 T92S11D12110 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 85°C |
| Λειτουργήστε Ώρα: | 15ms |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 17 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 110VDC Coil Through Hole |
| Επικοινωνία Βαθμολογία (Current): | 30A |
| Επικοινωνία Υλικό: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Φόρμα Επικοινωνίας: | DPDT (2 Form C) |
| πηνίο τάσης: | 110VDC |
| Coil Τύπος: | Non Latching |
| πηνίο Αντίσταση: | 7.25 kOhms |
| πηνίο ισχύος: | 1.7 W |
| πηνίο Τρέχουσα: | 15.5mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για T92S11D12-110
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο