Το T543X337M010AHE010 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την T543X337M010AHE010, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το T543X337M010AHE010 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε T543X337M010AHE010 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
T543X337M010AHE010
- Αριθμός εξαρτήματος:
- T543X337M010AHE010
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP TANT POLY 330UF 10V 2917
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21370 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- T543X337M010AHE010.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 10V |
| Τύπος: | Molded |
| Ανοχή: | ±20% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Σειρά: | KO-CAP® T543 |
| Ακροαματικότητα: | COTS |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2917 (7343 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 399-8853-2 T543X337M010AHE0107505 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 53 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | X |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.169" (4.30mm) |
| Χαρακτηριστικά: | High Reliability |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 10 mOhm @ 100kHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 330µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 10V 2917 (7343 Metric) 10 mOhm @ 100kHz |
| χωρητικότητα: | 330µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για T543X337M010AHE010
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
T543X336M050ATE040 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X336M050AHW0407505 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 20% 50V SMD | Έρευνα |
|
T543X336K050AHE040 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X336M050AHW040D100 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 20% 50V 7343 | Έρευνα |
|
T543X337M016AHW025D100 | KEMET | CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 7343 | Έρευνα |
|
T543X477K006ATE005 | KEMET | CAP TANT POLY 470UF 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
T543X476K035ATW060 | KEMET | CAP TANT POLY 47UF 35V 2917 | Έρευνα |
|
T543X336K050ATW040 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X476M035AHE030 | KEMET | CAP TANT POLY 47UF 35V 2917 | Έρευνα |
|
T543X336M050AHE040 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X336M050ATW040 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X226M063ATW075 | KEMET | CAP TANT POLY 22UF 63V 2917 | Έρευνα |
|
T543X476M035ATE030 | KEMET | CAP TANT POLY 47UF 35V 2917 | Έρευνα |
|
T543X476M035AHW0307505 | KEMET | CAP TANT POLY 47UF 20% 35V SMD | Έρευνα |
|
T543X337M010AHW0107505 | KEMET | CAP TANT POLY 330UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
|
T543X337M016AHW0257505 | KEMET | CAP TANT POLY 330UF 20% 16V SMD | Έρευνα |
|
T543X336M050AHE0407505 | KEMET | CAP TANT POLY 33UF 50V 2917 | Έρευνα |
|
T543X226M063ATW0757280 | KEMET | CAP TANT POLY 22UF 63V 2917 | Έρευνα |
|
T543X476K035AHW0607505 | KEMET | CAP TANT POLY 47UF 10% 35V SMD | Έρευνα |
|
T543X337M016AHE025 | KEMET | CAP TANT POLY 330UF 16V 2917 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική