Το STTH4R02FP είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH4R02FP, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH4R02FP μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH4R02FP με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH4R02FP
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH4R02FP
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31992 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH4R02FP.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.05V @ 4A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220FPAC |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 30ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-2 Full Pack |
| Αλλα ονόματα: | 497-5282-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 175°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 200V 4A Through Hole TO-220FPAC |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 3µA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 4A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | STTH4R02 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH4R02FP
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH4L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH4R06DEE-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
|
STTH4L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH4L06Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | Έρευνα |
|
STTH4L06QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | Έρευνα |
 |
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Έρευνα |
|
STTH506B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Έρευνα |
 |
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Έρευνα |
|
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Έρευνα |
 |
STTH40P03ST | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220AB | Έρευνα |
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH506D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | Έρευνα |
|
STTH504U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 5A | Έρευνα |
|
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Έρευνα |
|
STTH506B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | Έρευνα |
|
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Έρευνα |
|
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί