Το STTH3R06UFY είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH3R06UFY, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH3R06UFY μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH3R06UFY με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH3R06UFY
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH3R06UFY
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27585 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH3R06UFY.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.9V @ 3A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SMBflat |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-214AA, SMB |
| Αλλα ονόματα: | 497-15329-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -40°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMBflat |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 3µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 3A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH3R06UFY
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH3R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | Έρευνα |
 |
STTH3R06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Έρευνα |
 |
STTH3R04S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A SMC | Έρευνα |
 |
STTH3R04Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A DO15 | Έρευνα |
|
STTH3R04 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | Έρευνα |
|
STTH3R04QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A DO15 | Έρευνα |
|
STTH3R06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Έρευνα |
|
STTH4L06Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | Έρευνα |
|
STTH4L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | Έρευνα |
|
STTH3R06S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A SMC | Έρευνα |
 |
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
|
STTH3R04U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A SMB | Έρευνα |
|
STTH4L06QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | Έρευνα |
|
STTH3R04RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | Έρευνα |
|
STTH4L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | Έρευνα |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH40P03SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220FP | Έρευνα |
|
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Έρευνα |
 |
STTH40P03ST | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED