Το STTH1R06 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STTH1R06, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STTH1R06 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STTH1R06 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STTH1R06
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STTH1R06
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51481 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STTH1R06.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.7V @ 1A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-41 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 45ns |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Αλλα ονόματα: | 497-14738-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 175°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 1A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STTH1R06
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH1R04 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
STTH1R06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMBFLAT | Έρευνα |
 |
STTH2002CFP | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP | Έρευνα |
 |
STTH20002TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 200V 120A ISOTOP | Έρευνα |
 |
STTH1R04U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMB | Έρευνα |
|
STTH1R06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | Έρευνα |
|
STTH20003TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP | Έρευνα |
 |
STTH1R04AY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | Έρευνα |
|
STTH1R04RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
STTH1R02ZF | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F | Έρευνα |
 |
STTH2002CG-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH20004TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 120A ISOTOP | Έρευνα |
|
STTH2002CG | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | Έρευνα |
|
STTH1R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMB | Έρευνα |
 |
STTH1R06A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | Έρευνα |
 |
STTH1R04QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO15 | Έρευνα |
|
STTH1R02ZFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F | Έρευνα |
 |
STTH1R04UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMB | Έρευνα |
|
STTH1R04A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | Έρευνα |
|
STTH1R04Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO15 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική