Το STP9NK60ZD είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STP9NK60ZD, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STP9NK60ZD μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STP9NK60ZD με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STP9NK60ZD
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STP9NK60ZD
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47094 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STP9NK60ZD.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220AB |
| Σειρά: | SuperFREDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 125W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Αλλα ονόματα: | 497-4387-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1110pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STP9NK60ZD
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STP95N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220 | Έρευνα |
|
STP95N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 | Έρευνα |
 |
STP9NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP | Έρευνα |
|
STP9NK65Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | Έρευνα |
 |
STP9N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 | Έρευνα |
|
STP9NK70ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP | Έρευνα |
|
STP9NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK50ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP | Έρευνα |
|
STP95N04 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK50Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NM40N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220 | Έρευνα |
|
STP9N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK65ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP | Έρευνα |
|
STP9N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB | Έρευνα |
|
STP9NK70Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220 | Έρευνα |
|
STP95N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 | Έρευνα |
|
STP9NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash