Το STP30N20 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STP30N20, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STP30N20 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STP30N20 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STP30N20
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STP30N20
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25419 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STP30N20.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220AB |
| Σειρά: | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 15A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 125W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 |
| Αλλα ονόματα: | 497-5129-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1597pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 200V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STP30N20
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STP2N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220 | Έρευνα |
|
STP2NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 | Έρευνα |
|
STP30NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 | Έρευνα |
|
STP2N105K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB | Έρευνα |
|
STP30NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 27A TO-220 | Έρευνα |
 |
STP2CMPQTR | STMicroelectronics | IC LED DRVR RGLTR DIM 30MA 20QFN | Έρευνα |
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220 | Έρευνα |
|
STP2NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 | Έρευνα |
|
STP30NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 30A TO-220 | Έρευνα |
|
STP30N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | Έρευνα |
|
STP30NM30N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 300V 30A TO-220 | Έρευνα |
|
STP315N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB | Έρευνα |
|
STP2N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 2A TO220 | Έρευνα |
|
STP31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | Έρευνα |
|
STP2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A TO220 | Έρευνα |
|
STP30NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 | Έρευνα |
|
STP30NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 | Έρευνα |
 |
STP30N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB | Έρευνα |
|
STP300NH02L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 120A TO-220 | Έρευνα |
|
STP310N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 180A TO-220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική