Το STL25N60M2-EP είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STL25N60M2-EP, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STL25N60M2-EP μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STL25N60M2-EP με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STL25N60M2-EP
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STL25N60M2-EP
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44574 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STL25N60M2-EP.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.75V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Σειρά: | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 205 mOhm @ 8A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 125W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-PowerVDFN |
| Αλλα ονόματα: | 497-16249-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 42 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1090pF @ 100V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STL25N60M2-EP
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STL25N15F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL28N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 | Έρευνα |
|
STL285N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL23NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL23NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 | Έρευνα |
|
STL26NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL287N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8 | Έρευνα |
|
STL24N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP., | Έρευνα |
|
STL25N15F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 | Έρευνα |
|
STL28N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8 | Έρευνα |
|
STL23NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 | Έρευνα |
|
STL30N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL260N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL22N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV | Έρευνα |
|
STL2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL24N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL24NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική