Το STL20DN10F7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STL20DN10F7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STL20DN10F7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STL20DN10F7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STL20DN10F7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STL20DN10F7
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58273 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STL20DN10F7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PowerFlat™ (5x6) |
| Σειρά: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 67 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 62.5W |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-PowerVDFN |
| Αλλα ονόματα: | 497-14967-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 38 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 408pF @ 50V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 7.8nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STL20DN10F7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STL210N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL190N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL18N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL20N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 100A | Έρευνα |
 |
STL19N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., | Έρευνα |
|
STL18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL20NF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT | Έρευνα |
 |
STL18N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL220N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT | Έρευνα |
|
STL220N3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 | Έρευνα |
|
STL225N6F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 | Έρευνα |
|
STL19N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL19N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 | Έρευνα |
|
STL18N55M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL200N45LF7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT | Έρευνα |
|
STL22N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV | Έρευνα |
|
STL20NM20N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED